
IT HOME 5月16日新闻,技术媒体Semimedia昨天(5月15日)发表了一篇博客文章,报道说三星电子计划将低端光掩膜的生产外包,以释放生产能力,并专注于高级光刻技术以进行下一代内存。据报道,三星研究了I-Line(365nm)和KRF(248nm)光掩膜的潜在供应商,包括日本Toppan Holdings和PKL(由美国光线货币)拥有的Textcend PhotoMask,预计将在今年的第三季度完成审查。为了防止技术泄漏,三星电子始终自行宣称所有摄影量。内部设备的老化和减少低端光掩膜技术的风险促使三星重新评估了NITO的外包方法。主页注意:光掩膜是必要的半导体制造元件,用于将电路模式移至硅晶片。长度长度技术例如EUV(13.5nm)可以实现更高的分辨率,适合切割过程,而I线和KRF主要支持成熟过程的节点。